Samsung sẵn sàng trang bị DRAM chuẩn LPDDR5 và sử dụng chip nhớ UFS 3.0 cho Galaxy S10

Có thể trong năm nay với quy mô lớn sẽ được khởi động bởi dây chuyền sản xuất DRAM chuẩn LPDDR5 và chip nhớ UFS 3.0. Và theo như @Universe Ice một leaker uy tín vừa tiết lộ, có thể chiếc Galaxy S10 vào lần tới sẽ là thiết bị được trang bị những linh kiện này đầu tiên do chính Samsung sẽ bắt đầu sản xuất có thể trong nửa cuối của năm nay.

Đối với các fans của Samsung thì chắc hản đây sẽ không phải là một thông tin không thể hấp dẫn hơn,  bởi với sức mạnh sẽ được tăng lên đág kể cũng như các linh kiện được thiết kế mới kể trên của chiếc Galaxy S10 sẽ rất được mong chờ.

Có thể thấy được với tốc độ lên tới 23.2 Gbps, cùng với chip nhớ UFS 3.0 được cho là có băng thông cao gấp đôi so với UFS 2.1. Ngoài ra có khả năng tiêu thụ ít điện năng hơn và cũng có thể sử dụng trong cả ngành công nghiệp ô tô. Trong khi đó,  với LPDDR5 có hiệu suất cao hơn 10% và khả năng sử dụng điện hiệu quả hơn 15% so với thế hệ trước.

Trên Galaxy S10 còn có nhiều tin đồn được trang bị nhiều công nghệ tiên tiến khác như cảm biến vân tay dưới màn hình, khả năng nhận dạng khuôn mặt 3D...

Cũng sẽ giống như với các thế hệ trước, Galaxy S10 sẽ có hai bản, một dùng chip Exynos 9820 và một dùng chip Snapdragon 855. Trên Exynos 9820 với một số thông tin gần đây đã cho thấy có sức mạnh xử lý ấn tượng, vượt trội hơn so với Snapdragon 855 của Qualcomm.